Die in der Vergangenheit unvollkommene Bezeichnungsweise von diskreten Halbleiterbauelementen und integrierten Schaltkreisen gab des Öfteren bei den Anwendern Anlass zu Fragen und Kritiken. Eine in Zukunft eindeutige Typenbezeichnung ist durch Neubearbeitung der TGL 38015 gegeben. Diese und deren Anwendung werden hier aus Anwendersicht erläutert und mit der bisherigen verglichen. 

Die Typenbezeichnung von Halbleiterbauelementenerfolgt nach TGL 38015. Die zunehmende Komplexität der Bauelemente machte es erforderlich, den bisherigen Bezeichnungscode zu erweitern, damit die Übersichtlichkeit und Eindeutigkeit der Bezeichnung gewahrt bleiben. Die Standardneubearbeitung ist seit 1.4. 1987 verbindlich. Vor Inkrafttreten der neuen Ausgabe traten Bezeichnungen auf, die die bisher ungenügenden Möglichkeiten erweiterten, aber nicht standardgerecht waren. Sie wurden außerdem nicht einheitlich angewandt. Im Folgenden soll versucht werden, an Hand von Beispielen die für die meisten DDR-Halbleiterbauelemente gewählten Typenbezeichnungen zu erläutern.

Grundlagen

Die Typenbezeichnung besteht aus einem System von Großbuchstaben und Ziffern, ergänzt durch Kleinbuchstaben, deren Bedeutung sich aus der Stellung innerhalb der Typenbezeichnung ergibt. Für die Schreibweise gilt, dass Leerräume vor und nach der Zählnummer auf jeden Fall einzufügen sind (weitere Leerräume sind jeweils beim Wechsel von Buchstaben und Zahlen zulässig); Buchstabeneinschlüsse innerhalb der Zählnummer sind ohne Leerraum zu schreiben. Treffen Zahlen unterschiedlicher Bedeutung aufeinander, sind diese durch Schrägstriche zu trennen.

Bild 1: Aufbau der Kennzeichnung diskreter Halbleiterbauelemente

Tafel 1: Halbleiterwerkstoffe

G

Germanium

S

Silizium

V

Verbindungshalbleiter z.B. GaAs, GaP, GaAsP

M

Verschiedene Werkstoffe

 

 

 

Tafel 2: Funktionen diskreter Halbleiterbauelemente

A

Dioden

B

Koppler

C

NF-Transistoren

D

NF-Leistungstransisoren

E

Tunneldioden

F

HF-Transistoren

L

HF-Leistungstransistoren

M

ladungsgesteuerte Bauelemente

P

strahlungsempfindliche Bauelemente

Q

strahlungsemittierende Bauelemente

R

Bauelemente, die unter Ausnutzung eines Durchbruchverhaltens betrieben werden

S

Schalttransistoren

T

Vierschichtbauelemente

U

Leistungstransistoren

W

Wandlerbauelemente

Y

Leistungsdioden

Z

Z-Dioden

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Tafel 3: Beispiele für die Bedeutung des 3. Buchstabens des ersten Blocks

SCE

Transistoren im Aufsatzgehäuse für die SMD-Technik

SAM

Mehrfachdioden (Diodenarays)

SAY

Schaltdioden

SAZ

Kapazitätsdioden

SZX

Z-Dioden geringer Leistung

SZY

Referenzbauelemente

VQA

Lichtemitterdioden (LED)

VQB

einstellige Lichtemitteranzeigen (LEA)

VQC

mehrstellige Matrix-LEA

VQD

mehrstellige LEA mit einseitigem Anschluss

VQE

mehrstellige LEA in Lichtschachtausführung

VQF

einzeilige LED-Reihen

VQG

mehrzeilige LED-Reihen

VQH

LED-Kompaktbauelemente

SWD

Druckwandler

Tafel 4: Lichtstärkegruppen von LEDs

Gruppe

IV min in µcd
 

A

0,4

B

0,6

C

0,9

D

1,35

E

2,0

F

3,0

G

4,5

H

6,8

I

10,0

K

15,0

L

23,0

Diskrete Halbleiterbauelemente

Die Bezeichnung erfolgt nach dem im Bild 1 wiedergegebenen Schema (s. a. Tafeln 1 und 2). Der 3. Buchstabe des ersten Blocks kennzeichnet die Typgruppe, bei Bedarf die Gehäusevariante, und hat bei verschiedenen Bauelementen unterschiedliche Bedeutung (s. Tafel 3).Der 2. Block besteht aus zwei bis vier Ziffern und stellt die Zählnummer dar. Sie ist, gibt es internationale vergleichstypen, grundsätzlich von diesen zu übernehmen und darf dann, wenn erforderlich, auf mehr als vier Stellen erweitert werden. Die Unterscheidung nach bestimmten Eigenschaften erfolgt im 3. Block. Bei Dioden und Vierschichtbauelementen besteht er aus zwei Zahlen. Die erste kennzeichnet bei Z-Dioden den Nennwert der Z-Spannung in Volt (z.B. SZX 21/8,2), und bei Schalt- und Leistungsdioden den Grenzwert der periodischen Spitzensperrspannung in 100 V (05 entspricht dabei 0,5 usw.) oder in V mit Einheitszeichen (z.B. SY 170/3). Die 2. Zahl steht für ergänzende Eigenschaften. Bei Optoelektronischen Bauelementen besteht der 3. Block aus zwei Ziffern und einem Buchstaben und ggf. dem Buchstaben X für gehäuselose Chips. Die 1. Ziffer kennzeichnet die Modifikation z.B.

MB 104/5 (mit maximal 35 V Kollektor-Emitter-Spannung)

MB 104/6 (ohne Basisanschluss)

VQA 13/1 (mit rotgefärbtem Gehäuse)

 

   

Durch den Buchstabenerfolgt die Kennzeichnung der Lichtstärke bei LEDs nach Tafel 4 und beiLichtemitteranzeigen (LEAs) nach Tafel 5, der Strahlungsleistung bzw. des Kollektorstroms bei Infrarotemitterdioden (IRED) bzw. Fotodioden und –transistoren.Die 2. Ziffer steht für das Lichtstärkeverhältnis innerhalb einer Verpackungseinheit (ê 1000 Stück)bei LEDs bzw. von Segment zu Segment eines Bauelements bei LEAs. Bei Transistoren besteht der 3. Block aus zwei Buchstaben bzw. einem Buchstaben und einer Ziffer (der bei der alten Bezeichnungsweise angewandte zusätzliche Buchstabe für Gehäusevarianten entfällt) und ggf. dem Buchstaben X (Chip). Der 1. Buchstabe kennzeichnet bestimmte Kennwerte wie die Verstärkergruppe (s. Tafel 6).Der 2. Buchstabe bzw. die Ziffer unterscheiden die Ausmesstypen:

Tafel 5: Lichtstärkegruppen von LEA

Gruppe

IV in µcd*
 

A

150 … 300

B

230 … 460

C

350 …700

D

520 … 1040

E

780 … 1560

* gemittelt über die sieben Segmente einer Ziffer

Tafel 6: Stromverstärkungsgruppen von SI-Transistoren

Gruppe

h21E
 

A, a

18 … 35

B, b

28 … 71

C, c

56 … 140

D, d

112 … 280

E, e

224 … 580

F, f

450 … 1120

Tafel 7: Grundfunktionen von IS

A

bipolare analoge IS, vorrangig für Konsumgüterelektronik

B

bipolare analoge IS, vorrangig für industrielle Elektronik

C

bipolare A-D und D-A-Wandler-IS

D

bipolare digitale IS

L

ladungsgekoppelte Bauelemente

U

unipolare IS

W

Sensor-IS

Tafel 8: Veralteter Zusammenhang zwischen Betriebstemperaturbereichen und Grundfunktionen von IS

D

bipolare digitale IS, vorrangig für θa = 0 … 70 °C

E

bipolare digitale IS, vorrangig für θa = 25 … 85 °C

F

bipolare digitale IS, für Sonderfälle, vorrangig für θa = -55 … 125 °C

U

unipolare IS, vorrangig für θa = 0 … 70 °C

V

unipolare IS, vorrangig für θa = -25 … 85 °C

W

unipolare IS, für Sonderfälle vorrangig für θa = -55 … 125 °C

Tafel 9: Veraltete Codebuchstaben für Grundfunktionen von Amateur-IS

N

A-D und D-A-Wandler, Amateurtypen

P

bipolare digitale Amateur-IS

R

bipolare analoge Amateur-IS

S

unipolare Amateur-IS

Tafel 10: Gehäusevarianten für IS

C

Dual-in-Line, Keramik

D

Dual-in-Line, Plastik

E

Dual-in-Line mit Kühlfahne

F

Flat-Pack, Keramik

G

Flat-Pack, Plastik

H

Power-in-Line für horizontalen Einbau

K

Dual-in-Line mit unlösbarem Kühlkörper

L

Quad-in-Line, Keramik

M

Quad-in-Line, Plastik

N

SOT-Gehäuse, Plastik

P

Leaded Chip-Carrier, Plastik

R

Leaded Chip-Carrier, Keramik

S

Small-Outline-Gehäuse

T

Filmträger (Tape-Chip-Carrier)

V

Power-in-Line, für vertikalen Einbau

B

andere Arten

X

gehäuseloser Einzelchip

XS

Chip im Scheibenverband

 

Tafel 11: Betriebstemperaturbereiche für IS

Tafel 12: Beispiele für Kennzeichnung der Typgruppe
 

B

5 … 55 °C

  

DL 000 D

(Low-Power-Variante)

C

0 … 70 °C

DS 8205 D

(schnelle Variante, Schottky-Kontakte)

D

-10 … 70 °C

UL 7211 D

(mit Latches für die Eingangsinformation)

E

-10 … 85 °C

UP 7211 D

(ohne Zwischenspeicherung der Eingangsinformation)

F

-25 … 70 °C

UL 8611 D

(Power-Down-Variante)

G

-25 … 85 °C

  

H

-40 … 70 °C

K

-40 … 85 °C

L

-55 … 85 °C

M

-55 … 125 °C

A

anderer Bereich

Tafel 13: Beispiele der Kennzeichnung von Taktfrequenzen

UA 880 D

(4 MHz)

UB 880 D

(2,5 MHz)

UD 880 D

(1 MHz)

UB 8820 M

(8 MHz)

UC 8820 M

(5 MHz)

UD 8820 M

(3,6 MHz)

Tafel 14: Beispiele für die Kennzeichnung von Ausmesstypen

höherwertige IS
 

B 060 Dm

mit max 6 mV Offset

B 060 Dp

mit max 3 mV Offset

B 060 DL

erweiterter Temperaturbereich θa = -25 … 85 °C

A 2000 Vm

für Brückenschaltanlagen

D 345 Dm

verringerter Ausgangsstrombereich 8 … 12 mA

D 345 Dp

verringerter Ausgangsstrombereich 10 … 14 mA

B 511 Nm

kleinste Toleranz des Temperaturstromnennwertes

B 589 Nm

mit geringen Temperaturkoeffizienten

B 589 Np

mit geringen Temperaturkoeffizienten

B 589 Nq

mit geringen Temperaturkoeffizienten

U 830 Cm

kürzere Zykluszeit 1 µs
 

niederwertige IS
 

A 2030 H1

verringerte Betriebsspannung 28 V

B 511 N1

größere Toleranz des Temperaturstromnennwertes

U 225 D1

längere Zugriffszeit 140 ns

U 256 C1

eingeschränkter Temperaturbereich θa = 10 … 45 °C

U 624 G1

ohne Exponentenanzeige
 

Amateurtypen

 

A 4100 D S1

AM- und FM-Verstärker funktionieren

A 4100 D S2

nur AM-Verstärker funktioniert

 Tafel 15: Codebuchstaben für das Herstellungsjahr

M

1980

A

1990

N

1981

B

1991

P

1982

C

1992

R

1983

D

1993

S

1984

E

1994

T

1985

F

1995

U

1986

H

1996

V

1987

I

1997

W

1988

K

1998

X

1989

L

1999

Tafel 16: Codezeichen für den Herstellungsmonat

1

Januar

7

Juli

2

Februar

8

August

3

März

9

September

4

April

O

Oktober

5

Mai

N

November

6

Juni

D

Dezember

Integrierte Schaltungen (IS)

Die Bezeichnung erfolgt nach Bild 2 (s.a. Tafeln 7 bis 11)

Bei der Bezeichnung bestand der variable Teil nur aus den letzten drei Elementen. Der 2. Buchstabe des konstanten Teils kennzeichnet die Typgruppe (s. Tafel 12) Nicht mehr zugelassen ist sie für IS, deren internationaler Vergleichstyp die technologische Variante als Buchstabeneinschluss innerhalb der Zählnummer enthält; dann ist diese Zählnummer zu übernehmen, z.B. U 74 HCT 00 DK, und zur Angabe von Taktfrequenzen, wie die Tafel 13 zeigt. Die 1. Zahl ist die Zählnummer. Die Zählnummern internationaler Vergleichstypen werden grundsätzlich übernommen, auch Buchstabeneinschlüsse innerhalb dieser. Der 3. Buchstabe kennzeichnet die Gehäusevarianten. Spezifische Eigenschaften wie Taktfrequenz (z.B. U 8272 D 04 entspr. 4 MHz, U 8611 DC 05 entspr. 5 MHz), Zugriffszeit (z.B. U 214 D 20 entspr. 200 ms, U 2732 C 55 entspr. 550 ns) und Zykluszeit (z.B. U 2148 C 55 entspr. 55 ns, U 2148 C 70 entspr. 70 ns) werden durch zwei Ziffern bezeichnet. Eine einzelne Ziffer ist nicht zulässig, in diesem Fall ist eine Null voranzustellen. Mit Kleinbuchstaben erfolgt die Gruppierung nach bestimmten Kennwerten, so die Gleichstromverstärkung bei Transistorarrays nach Tafel 6. Die Kennzeichnung der Ausmesstypen erfolgt wie bei Transistoren. Einige Beispiele sind in der Tafel 14 zusammengestellt. Mit drei oder vier Ziffern mit vorangestelltem Bindestrich werden Typen mit vereinbartem Bitmuster, Leiterbahnvarianten von Gate-Arrays u.ä. gekennzeichnet.

Kennzeichnung des Herstellungsdatums

Die Bauelemente werden mit dem Herstellungsdatum direkt (z.B. 3.88) meist aber verschlüsselt gekennzeichnet. Bei der verschlüsselten Kennzeichnung steht zuerst ein Kennzeichen für das Jahr (Tafel 15). Danach sind die Monatsnamen nach Tafel 16 verschlüsselt.

Bild 2: Aufbau der Kennzeichnung integrierter Halbleiterbauelemente

Bild 3: DIL-Gehäuse mit Typkennzeichnung nach Variante 1

Bild 4: DIL-Gehäuse mit Typkennzeichnung nach Variante 2

Bild 5: DIL-22-Gehäuse mit Typkennzeichnung nach Variante 3

Bild 6: DIL-40-Gehäuse mit Typkennzeichnung nach Variante 4

Gestaltung der Typkennzeichnung

Die Kennzeichnung von IS (Stempelaufdruck) erfolgt in vier Varianten:

Eine Zusatzinformation kann z.B. durch das Kennzeichen Z auf ein Zollrastermaß hinweisen. Bei IS, die sowohl im metrischen als auch im Zollraster hergestellt werden, ist Z für Zollraster in jedem Fall aufgebracht. Desweiteren kann auch eine verkürzte Bezeichnung aufgebracht werden, die an der Stelle endet, die für die erforderliche Unterscheidung notwendig ist, frühestens jedoch nach der Zählnummer. Weitere Varianten sind im jeweiligen Erzeugnisstandard erläutert.

Schlussbemerkungen

Durch in der Vergangenheit von den Herstellern offenbar sehr frei gewählten Typbezeichnung entstand in Anwenderkreisen eine zunehmende Unsicherheit in der Anwendung dieser Bezeichnungen. Durch die Neubearbeitung der TGL 38015 wurde eine Grundlage für eine einheitliche Bezeichnungsweise geschaffen. Es bleibt zu hoffen, dass diese bei zukünftigen Entwicklungen konsequent eingehalten wird. Zu der Frage, inwieweit eine Angleichung der alten an die neue Bezeichnung stattfinden wird und Bezeichnungen wie z.B. D 74 LS 00 DC statt DL 000 D, U 4011 DK statt V 4011 D und UL 8601 DC 08/1 statt UB 8861 D eingeführt werden, die eine Einordnung in die internationalen Reihen wesentlich erleichtern würde, wäre eine Stellungnahme des VEB Kombinat Mikroelektronik wünschenswert.

Quelle: radio-fernsehen-elektronik Heft 8/1988

 

 

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