
![]()
Dipl.-Ing. PETER HANDRACK
Mitteilungaus dem VEB Kombinat Mikroelektronik Erfurt
Seit dem 1.5.1987 ist die neue Ausgabe der TGL 38015 „Diskrete Halbleiterbauelemente und integrierte Halbleiterschaltkreise; Bildung der Typbezeichnung und Gestaltung der Typkennzeichnung“ verbindlich. Mit der Neuausgabe dieses Standards wurden die gestiegenen Anforderungen berücksichtigt, die sich während der Arbeit mit ihm herauskristallisierten. Nachfolgend sollen das Bezeichnungssystem, die Änderungen gegenüber der Ausgabe 8/81 sowie die Kennzeichnung von Halbleiterbauelementen erläutert und einige Beispiele gegeben werden. Der Standard gilt nicht für Selengleichrichter, Gleichrichterbrücken, Gleichrichter-, Thyristor- und Transistormodule.
Ziel der Überarbeitung der TGL 38015 war es, sowohl die bei der Arbeit mit der bestehenden Ausgabe gewonnenen Erfahrungen zu berücksichtigen als auch künftige Anforderungen an das Bezeichnungssystem so weit wie möglich zu erfassen. Folgende Prämissen galt es zu beachten:Die Typbezeichnung elektronischer Bauelemente besteht aus Großbuchstaben und Ziffern, die in bestimmten Fällen durch Kleinbuchstaben ergänzt werden. Die Bedeutung der einzelnen Buchstaben, Ziffern und Zahlen ergibt sich aus der Position, an der sie innerhalb der Typbezeichnung stehen. Vor und nach der Zählnummer steht grundsätzlich ein Leerraum.
Bezeichnung diskreter Halbleiterbauelemente
Die Bildung der Typbezeichnung für diskrete Halbleiterbauelemente erfolgt nach Bild 1.

Bild 1: Kennzeichnung diskreter Halbleiterbauelemente (X ₪ Buchstabe, 0 ₪ Ziffer)
Die Vergabe des 3. Buchstabens erfolgt nach einem internen Schlüssel des Herstellers und kann bei unterschiedlichen Erzeugnisgruppen unterschiedliche Bedeutung haben. Bereits belegte Buchstaben sind in der Tafel 2 zusammengestellt. Die Bedeutung des 3. Buchstabens wird im Erzeugnisstandard festgelegt, wenn sie in der Tafel 2 nicht enthalten ist.
2. Block
Der 2. Block besteht im allgemeinen aus 2 bis 4 Ziffern und stellt eine Zählnummer dar, wobei Zählnummern internationaler Vergleichstypen grundsätzlich übernommen werden (auch bei mehr als 4 Stellen). Von diesem Grundsatz darf abgewichen werden, wenn die internationale Zählnummer nicht übernommen werden kann, weil sie national bereits vergeben wurde, wenn bei bestimmten Bauelementereihen die Kompatibilität zu bereits bestehenden Typbezeichnungen nicht gewahrt wird oder aus ähnlichen triftigen Gründen.
Bei LEDs (bei denen in der Regel keine internationalen Zählnummern übernommen werden) wird mit der 1.Ziffer der Zählnummer darüber hinaus die Farbe verschlüsselt, was jedoch nicht Bestandteil der TGL 3801 5 ist (s. Tafel 3).
|
Tafel 1: Typische Funktionen diskreter Halbleiterbauelemente |
|
|
A |
Diode |
|
B |
Koppler |
|
C |
NF-Transistor (mit Rthja ₪ 15 K/W) |
|
D |
NF-Leistungstransistor |
|
E |
Tunneldiode |
|
F |
HF-Transistor |
|
L |
HF-Leistungstransistor |
|
M |
ladungsgesteuertes Halbleiterbauelement (z. B. FET) |
|
P |
strahlungsempfindliches Bauelement |
|
Q |
strahlungsemittierendes Bauelement |
|
R |
Bauelement, das unter Ausnutzung eines Durchbruchverhaltens betrieben wird |
|
S |
Schalttransistor |
|
T |
Vierschichtbauelement |
|
U |
Leistungsschalttransistor |
|
W |
Halbleitersensor (außer optoelektronische Bauelemente) |
| Y |
Leistungsdiode |
|
Z |
Z-Diode |
|
Tafel 2: Gehäusekennzeichnungen |
|
|
Dioden |
|
|
D |
Aufsetzgehäuse (z.B. SOD 80) |
|
Transistoren |
|
|
E |
Aufsetzgehäuse (z. B.SOT 23) |
|
optoelektronische Bauelemente |
|
|
A |
Lichtemitterdiode (LED) |
|
B |
Lichtemitteranzeige (LEA) |
|
C |
mehrstellige LEA |
|
D |
mehrstellige LEA, einseitiger Steck- oder Lötanschluss |
|
E |
mehrstellige LEA, Lichtschachtausführung |
|
F |
einzeilige LED-Reihe |
|
G |
mehrzeilige LED-Reihe |
|
H |
Flachbandanzeige |
|
Halbleitersensoren |
|
|
D |
Drucksensor |
|
F |
Feuchtesensor |
|
H |
Hallsensor |
|
T |
Temperatursensor |
|
Tafel 3: Farben von LEDs |
|
|
1 |
rot |
|
2 |
grün |
|
3 |
gelb |
|
4 |
orange |
|
5 |
blau |
|
6 |
rot, grün |
|
7 |
rot, gelb |
|
8 |
gelb, grün |
|
9 |
rot, grün, gelb |
Optoelektronische Halbleiterbauelemente
Die Bildung erfolgt nach dem im Bild 2 gezeigten Schema. Die Bedeutung der einzelnen Zeichen wird vom Hersteller festgelegt.
Transistoren
Die Bildung erfolgt nach dem im Bild 3 angegebenen Schema. Die Bedeutung der Zeichen wird vom Hersteller festgelegt. Für Ausmesstypen gilt:
Damit hat sich gegenüber der alten TGL38015 geändert, dass der Buchstabe für die Gehäusebezeichnung bei Transistoren im 3. Block weggefallen ist. Statt dessen wurde die Gehäusevariante in den dritten Buchstaben des ersten Blockes aufgenommen.
|
|
![]() |
|
Bild 2: Zusätzliche Kennzeichnung optoelektronischer Bauelemente |
Bild 3: Zusätzliche Kennzeichnung von Transistoren (x @ Kleinbuchstabe) |

Bild 4: Kennzeichnung integrierter Halbleiterschaltungen (X ₪ Großbuchstabe, x ₪ Kleinbuchstabe, 9 Ziffer, Angabe nur wenn erforderlich)
Bezeichnung monolithisch integrierter Schaltungen
Die Bildung der Typbezeichnung für integrierte Halbleiterschaltungenerfolgt nach dem im Bild 4 gezeigten Schema. Die Kennzeichnung der Grundeigenschaften ist in der Tafel 4, die der Typgruppe in der Tafel 5 zusammengestellt.Die Zählnummer besteht aus 2 bis 6 Stellen, wobei Zählnummern internationaler Vergleichstypen grundsätzlich übernommen werden (auch Buchstabeneinschlüsse innerhalb der Zählnummer). Von diesem Grundsatz kann in den Fällen abgewichen werden, die bereits für die diskreten Bauelemente genannt wurden. So würde z. B. ein Schaltkreis der Low-Power-Schottky-Reihe die Bezeichnung D 74 L 5999 DK bekommen, was jedoch den bisherigen Bezeichnungen der IS dieser Reihe widerspricht, es wird deshalb weiterhin die Bezeichnung DL 999... angewendet werden. Die Kennzeichnung der Gehäuse ist der Tafel 6 zu entnehmen.Die Ziffer für speziellen Einsatz dient der Kennzeichnung spezieller Forderungen (z. B. Einsatzklassen) nach Angaben des Herstellers (falls erforderlich).Die Kennzeichnung des Betriebstemperaturbereiches ist in der Tafel 7 enthalten. Weitere Kennbuchstaben für den Betriebstemperaturbereich sind zulässig, ihre Bedeutung wird im Erzeugnisstandard festgelegt.Die spezifischen Eigenschaften (Taktfrequenz, Zugriffszeit) einer IS werden mit zwei Ziffern bezeichnet, deren Bedeutung im Erzeugnisstandard festgelegt wird.Für die Gruppierung nach einem bestimmten Kennwert stehen die Buchstaben a bis h zur Verfügung, deren Bedeutung wird vom Hersteller festgelegt.Die Bedeutung der Kennzeichen für die Ausmesstypen wird vom Hersteller festgelegt, wobei folgendes gilt:
|
Tafel 4: Kennzeichnung der Grundeigenschaften |
|
|
A |
bipolare analoge IS, vorrangig für Konsumgüter |
|
B |
bipolare analoge IS, vorrangig für Industrieanwendung |
|
C |
bipolare A-D und D-A-Wandler-IS |
|
D |
bipolare digitale IS |
|
L |
ladungsgekoppelte IS |
|
U |
unipolare IS |
|
W |
Sensor-IS |
|
Tafel 5: Kennzeichnung der Typgruppe |
|
|
Kundenwunsch-IS |
|
|
I |
Grundlayout |
|
K |
Leitbahnvariante nach Kundenbestellung |
|
Sensor-IS |
|
|
D |
Drucksensor |
|
F |
Feuchtesensor |
|
H |
Hall-Sensor |
|
T |
Temperatursensor |
|
Weitere Buchstaben sind zugelassen, ihre Bedeutung wird im Erzeugnisstandard angegeben |
|
|
technologische Varianten |
|
|
L |
Low-Power Varianten |
|
S |
schnelle Varianten |
|
Tafel 6: Kennzeichnung der Gehäuse |
|
|
B |
Metall-Glas-Gehäuse oder andere Materialkombinationen |
|
C |
DIL-Gehäuse, Keramik |
|
D |
DIL-Gehäuse, Plast |
|
E |
DIL-Gehäuse mit Kühlfahne |
|
F |
Flat-Pack-Gehäuse (Quad-Flat-Pack-Gehäuse), Keramik |
|
G |
Flat-Pack-Gehäuse (Quad-Flat-Pack-Gehause), Plast |
|
H |
Power-in-Li.ne-Gehäuse für horizontalen Einbau |
|
K |
DIL-Gehäuse mit unlösbarem Kühlkörper |
|
L |
Quad-in-Line-Gehäuse, Keramik |
|
M |
Quad-in-Line-Gehäuse, Plast |
|
N |
SOT-Gehäuse (als IS-Gehäuse, z.B. SOT 54) |
|
P |
Chip-Carrier,Plast (PCC) |
|
R |
Chip-Carrier, Keramik (CCC) |
|
S |
Small-Outline-Gehäuse (SOP) |
|
T |
Tape-Chip-Carrier |
|
V |
Power-in-Line-Gehäuse für vertikalen Einbau |
|
X |
ohne Gehäuse (Chip); Zusatzzeichen für technologische Varianten nach TGL 38004 |
|
Tafel 7: Kennzeichnung des Betriebstemperaturbereiches |
|
|
A |
Betriebstemperaturbereich nach Erzeugnisstandard (nur, wenn keiner der nachfolgenden gegebenen Bereiche zutrifft) |
|
B |
5...55 °C |
|
C |
0...70 °C |
|
D |
-10...70 °C |
|
E |
-10...85 °C |
|
F |
-25...70 °C |
|
G |
-25...85 °C |
|
H |
40...70 °C |
|
K |
-40...85 °C |
|
L |
-55...85 °C |
|
M |
-55...125 °C |
|
UA 880 D: |
4 MHz, θa = 0..70 °C |
|
UB 880 D: |
2,5 MHz, θa = 0...70 °C |
|
VB 880 D: |
2,5 MHz, Ja = -25...85 °C |
|
UL 224 D 30: |
Ruhestrom ICCR = 50 µA, CS-Zugriffszeit tCLDV = 300 ns θa = 0...70 °C |
|
US 224 D20: |
ICCR = 5 µA, tCLDV = 200 ns, Ja = 0...70 °C |
|
VL 224 D 20: |
ICCR = 50 µA, tCLDV = 200 ns, θa = 25 … 85 °C |