Die Bezeichnung der Halbleiterbauelemente von Tesla besteht aus einer Zahl, die den Typ des betreffenden Bauelements kennzeichnet, und aus zwei nachfolgenden Buchstaben. Diese haben folgende Bedeutung:

NN = Spitzendioden für höhere Spannungen
NP = Flächendioden, Flächengleichrichter
NQ Höchstfrequenzdioden
NR = Thermistoren
NS = Schwingkristalle
NT = Spitzentransistoren
NU = Flächentransistoren
NV = spezielle Transistoren

An letzter Stelle der Typenbezeichnung folgen Zahlen, die die Gehäuseausführung des betreffenden Bauelements kennzeichnen.

Die Zahlen bedeuten:

40 ... 49 = Glasgehäuse
50 ... 59 = Keramikgehäuse
60 ... 69 = Plastikgehäuse
70 ... 79 = Metallgehäuse
80 ... 89 = Spezialausführung
Zusätzlich zu diesen offiziellen Angaben zu dem Tesla- Schlüssel, der in der Tesla-Norm NT-K 003 festgelegt ist, interessiert hier u.a., dass Transistoren, die mit einer dreistelligen Typennummer beginnen, npn-Typen sind. Sie lassen im allgemeinen durch keine DDR- Typen ersetzen, wenn man nicht die Spannungsquelle umpolt. Da dann aber auch alle Elektrolytkondensatoren der Schaltung umgepolt werden müssen, erfordert das den völligen Neuaufbau des betreffenden Geräts. Unter diesen Umständen lohnt ein Umbau kaum ! Außer den nach dem beschriebenen Schlüssel gekennzeichneten Transistoren stellt Tesla auch seit mehreren Jahren Valvo- Transistoren her, die die gleichen Typenbezeichnungen tragen wie die Bauelemente des Erstherstellers. Seit etwa 1964/65 ist in der CSSR ein neuer Halbleitertbauelementeschlüssel in Kraft. Dieser Schlüssel weist starke Ähnlichkeit mit dem Schlüssel der DDR- Halbleiterbauelemente auf.Zu erwähnen ist, dass die Bezeichnung von Silizium- Bauelementen nicht wie bei uns mit einem „S“ beginnt, sondern mit einem „K“.
Beispiele:
KU 601 = Silizium- Leistungsschalttransistor
GS 501 = Germanium- Schalttransistor
2 GA 206 = Germanium- Diodenpaar

 

 

 

 

 

 

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