Die Buchstaben bedeuten:
| А |
= |
Halbleiterdiode |
| С |
= |
Spitzentransistor |
| П |
= |
Flächentransistor |
Die Zahl gibt die Seriennummer an.
Der russische Typenschlüssel wurde 1964/65 durch einen neuen abgelöst.Der neue Halbleitertypenschlüssel besteht aus zwei Buchstaben, einer dreistelligen Zahl und einem Buchstaben oder einer Zahl, einem Buchstaben, einer dreistelligen Zahl und wieder einem Buchstaben.
Beispiel
ГТ 105 А
| Г |
= |
Germanium-Bauelement, Sperrschichttemperatur höchstens 60 °C |
| 1 |
= |
Germanium-Bauelement, Sperrschichttemperatur höchstens 70 °C |
| К |
= |
Silizium-Bauelement, Sperrschichttemperatur höchstens 85 °C |
| 2 |
= |
Silizium-Bauelement, Sperrschichttemperatur höchstens 120 °C |
Der an zweiter Stelle stehende Buchstabe und die anschließende dreistellige Zahl geben Auskunft über die Art des Halbleiterbauelements.
| Д |
Diode |
101 ... 199 = Gleichrichter kleiner Leistung |
|
|
201 ... 299 = Gleichrichter mittlerer Leistung |
|||
|
301 ... 399 = Gleichrichter großer Leistung |
|||
|
401 ... 499 = Universaldiode |
|||
|
501 ... 599 = Impulsdiode |
|||
| Т |
Transistor |
101 ... 199 = NF-Transistor kleiner Verlustleistung |
|
|
201 ... 299 = Mittelfrequenztransistor kleiner Verlustleistung |
|||
|
301 ... 399 = HF-Transistor kleiner Verlustleistung |
|||
|
401 ... 499 = NF-Transistor mittlerer Verlustleistung |
|||
|
501 ... 599 = MF-Transistor mittlerer Verlustleistung |
|||
|
601 ... 699 = HF-Transistor mittlerer Verlustleistung |
|||
|
701 ... 799 = NF-Transistor großer Verlustleistung |
|||
|
801 ... 899 = MF-Transistor großer Verlustleistung |
|||
|
901 ... 999 = HF-Transistor großer Verlustleistung |
|||
| В |
Varikap (Kapazitätsdiode) |
101 ... 199 |
|
| Д |
UHF- Diode |
101 ... 999 = Mischdiode |
|
|
201 ... 299 = Videodiode |
|||
|
301 ... 399 = Modulatordiode |
|||
|
401 ... 499 = parametrische Diode |
|||
|
501 ... 599 = Schaltdiode |
|||
| Ф |
strahlungsempfindliches Bauelement |
101 ... 199 = Fotodiode |
|
|
201 ... 299 = Fototransistor |
|||
| Н |
nichtsteuerbares Mehrschichtschaltelement |
||
| У |
steuerbares Mehrschichtelement |
101 ... 199 = Schaltelement kleiner Leistung |
|
|
201 ... 299 = Schaltelement mittlerer Leistung |
|||
|
301 ... 399 = Schaltelement großer Leistung |
|||
| И |
Tunneldiode |
101 ... 199 = Generatordiode |
|
|
201 ... 299 = Verstärkerdiode |
|||
|
301 ... 399 = Schaltdiode |
|||
| С |
Z-Diode |
101 ... 199 = Z-Diode kleiner Leistung, Uz = 0,1 ... 9,9 V |
|
|
201 ... 299 = Z-Diode kleiner Leistung, Uz = 10 ... 99 V |
|||
|
301 ... 399 = Z-Diode kleiner Leistung, Uz = 100 ... 199 V |
|||
|
401 ... 499 = Z-Diode mittlerer Leistung, Uz = 0,1 ... 9,9 V |
|||
|
501 ... 599 = Z-Diode mittlerer Leistung, 10-99 V |
|||
|
601 ... 699 = Z-Diode mittlerer Leistung, 100-199 V |
|||
|
701 ... 799 = Z-Diode großer Leistung, 0,1-9,9 V |
|||
|
801 ... 899 = Z-Diode großer Leistung, 10-99 V |
|||
|
901 ... 999 = Z-Diode großer Leistung, 100-199 V |
|||
| Ц |
aus mehreren Elementen bestehende Gleichrichter |
Der letzte Buchstabe dient ebenso wie beim alten Schlüssel der Unterscheidung verschiedener Typen einer kleinen Serie.
Beispiel:
ГТ 108 А ist ein Germanium- Transistor für kleine NF-Leistung, Ausführung A.Der neue russische Halbleiterbauelementeschlüssel ist erweiterungsfähig und deshalb Zukunftssicher. Allerdings gibt dieser Schlüssel bei Transistoren keine Auskunft darüber, ob es sich um einen pnp- oder einen npn-Typ handelt. Die Bezeichnung „kleine“, „mittlere“ und „große“ Leistung ist ungenau; man muss damit rechnen, dass sich die Ansichten über klein oder groß im Laufe der Entwicklung verschieben werden.